TSM015NA03CR RLG
/MOSFET 30V 205A N-Channel Power MOSFET
TSM015NA03CR RLG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PDFN56-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:32 A
Rds On-漏源导通电阻:1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:33 nC, 67 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:104 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:11 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:17 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:33 ns
典型接通延迟时间:5.8 ns
TSM015NA03CR RLG
TSM015NA03CR RLG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN | $1.80000 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V 205A N-Channel Power MOSFET | 1:¥15.142 10:¥13.447 100:¥10.5994 500:¥8.2264 2,500:¥5.8873 5,000:查看
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